直（zhí）流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎上，在靶材後麵安防磁（cí）鋼。可以用來濺射沉（chén）積（jī）導（dǎo）電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造成靶材（cái）表麵電荷積累，從而導致濺射無法進行。所以對於純金屬靶材（cái）的濺射（shè），均采用直流磁控（kòng）濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用（yòng）來進行（háng）反應濺射，如金屬氧化物、碳化物等（děng），將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一（yī）起輸入到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起（qǐ）於基材上沉積。

對於一些不易找到的塊材料製成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易偏離原靶材成分，也可通過反應沉積（jī）來獲得改善。