物理氣相沉積介紹之真空卷繞鍍膜技術：
        真空卷繞鍍膜(卷對卷)是在（zài）真空下應用不同方法在柔性基體上實（shí）現連續鍍膜的一種技術。它涵蓋真空獲得、機電控製、高精傳動和表麵分析等多方麵內容。其重點是，在保證鍍膜質量前提下提高卷繞速率、控製鍍膜穩定性（xìng）及實施在線監控。卷對卷技術成本低、易操作、與柔性基底相容、生（shēng）產率高及可連（lián）續鍍多層膜等優點。第（dì）一台真空蒸發卷繞（rào）鍍膜機1935年製成，現可鍍幅寬（kuān）由500至2500mm。卷對卷技術應用由包裝（zhuāng）和裝飾用（yòng）膜（mó），近（jìn）年逐漸擴大至激（jī）光防偽膜、導電等功能薄膜方麵，是未來柔性電子等行業的主流技術（shù）之一。
        真空卷繞鍍（dù）膜係統按結構（gòu）可分為單室（shì）、雙室和多（duō）室真空卷（juàn）繞係統，後兩者可解決（jué）開卷（juàn）放氣問題（tí）並分別控（kòng）製卷繞和鍍膜室各自真空度。卷繞張力控（kòng）製（zhì）分錐度、間接和直接控（kòng）製模型，錐（zhuī）度控製模型可解決薄膜（mó）褶皺和徑向（xiàng）力分布不均（jun1）的問題；間接張力控製無需傳感器，可用內置張力控製模塊的矢量變頻器（qì）代替；直接張力控製通過張力傳感器精確測量張力值，但需慣性矩和角速度等多種參數。真空（kōng）卷（juàn）繞鍍（dù）膜主要（yào）有真空蒸發、磁控濺射等方式，可用於製備新型高（gāo）折（shé）射率薄膜、石墨烯等納米材料和柔性太陽能電池等半導體器件。針對真空卷繞鍍膜技術研究現狀（zhuàng）及向產業化過渡存在的問題，最後（hòu）作了簡要分析與展（zhǎn）望。
        真空卷對卷設備由抽真空、卷繞、鍍膜和電氣控製等係統組成。真（zhēn）空卷（juàn）繞鍍膜（mó）設備根（gēn）據真空室（shì）有無擋板，可分單室、雙室和多（duō）室結構。單室的收放卷輥和鍍膜（mó）輥在同一室中，結構簡單但開卷時放氣會（huì）汙（wū）染真（zhēn）空環境。雙室結構將係（xì）統用擋板隔成卷繞和鍍膜（mó）室，卷輥（gǔn）與擋板間（jiān）隙約1.5mm，避免了類似開卷放氣問題。多室常用（yòng）於製（zhì）備（bèi）複（fù）合（hé）薄膜，在雙室基礎上將相鄰鍍膜區用擋板隔開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開（kāi）普頓擋板固定於兩磁（cí）控濺射靶間，板兩側塗覆50μm的銅層。分隔擋板與真空（kōng）室壁狹縫越小越好。據鍍膜時輥筒作用分為單主輥和多主輥（gǔn）卷繞鍍膜機。據（jù）電機個數，則可分為兩電機、三電機和四電機（jī）驅動係統。

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